IRFD220PBF
Transistor canal N IRFD220PBF, DIP, 200V, 0.38A, 0.8A, 250uA, 0.8 Ohms, DH-1 house, DIP-4, 200V. Boîtier: DIP. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Id (T=100°C): 0.38A. Id (T=25°C): 0.8A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 200V. C (in): 22pF. C (out): 53pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 260pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 0.4A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id(imp): 6.4A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IRFD220PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance de troisième génération. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...
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