Transistor canal N IRF3710PBF, TO220, 100V, 100V. Boîtier: TO220. Vdss (tension drain à source): 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3130pF. Charge: 86.7nC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 57A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Courant de drain: 57A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 57A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF3710PBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Puissance: 200W. RoHS: oui. Série: -. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT. Type de transistor: N-MOSFET. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14