Transistor canal N IRF820PBF, TO-220, 500V, 3 Ohms, 500V
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Transistor canal N IRF820PBF, TO-220, 500V, 3 Ohms, 500V. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 500V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF. Charge: 24nC. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4A. Courant de drain maxi: 2.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.5A. Courant de drain: 2.5A, 1.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Délai de coupure tf[nsec.]: 33 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF820PBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Puissance: 50W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 3 Ohms. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension drain - source: 500V. Tension grille-source: ±20V. Type de canal: N. Type de transistor: N-MOSFET. Produit d'origine constructeur: Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14