Transistor canal N IRF710PBF, TO-220AB., 400V, 3.6 Ohms, 400V. Boîtier: TO-220AB.. Tension drain - source (Vds): 400V. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Capacité de grille Ciss [pF]: 170pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2A. Courant de drain maxi: 2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.6 Ohms @ 1.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF710PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14