Transistor canal N IRF640NPBF, TO220, 200V, 200V, 0.15 Ohms, 200V. Boîtier: TO220. Vdss (tension drain à source): 200V. Tension drain - source (Vds): 200V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1160pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 18A. Courant de drain maxi: 18A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 18A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF640NPBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 150W. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14