Transistor canal N IRF840PBF, TO220AB, 500V, 500V, 0.85 Ohms, 500V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 500V. Tension drain - source (Vds): 500V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 8A. Courant de drain maxi: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 8A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF840PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 125W. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14