Transistor canal N IRF610PBF, TO-220AB, 200V, 1.5 Ohms, 200V. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 200V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 140pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.3A. Courant de drain maxi: 3.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 11 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF610PBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 36W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.2 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14