Transistor canal N IRF730PBF, TO220AB, 400V, 400V, 1 Ohm, 400V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 400V. Tension drain - source (Vds): 400V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Capacité de grille Ciss [pF]: 700pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5.5A. Courant de drain maxi: 4.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 3.3A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Dissipation maximale Ptot [W]: 74W. Délai de coupure tf[nsec.]: 38 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 5.5A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF730PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 75W. RoHS: oui. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohms / 3A / 10V. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14