Transistor canal N IRF510PBF, TO220AB, 100V, 100V, 0.54 Ohms, 100V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 100V. Tension drain - source (Vds): 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5.6A. Courant de drain maxi: 5.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 3.4A. Dissipation de puissance maxi: 43W. Dissipation maximale Ptot [W]: 43W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 5.6A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF510PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 43W. RoHS: oui. Série: IRF. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14