Transistor canal N IRF520NPBF, TO-220AB, 100V, 0.20 Ohms, 100V
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Transistor canal N IRF520NPBF, TO-220AB, 100V, 0.20 Ohms, 100V. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9.7A. Courant de drain maxi: 9.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 5.7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF520NPBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 48W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.5 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14