Transistor canal N IRFD110PBF, DIP-4, 100V, 60V, 100V. Boîtier: DIP-4. Vdss (tension drain à source): 100V. Tension drain - source (Vds): 60V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1A. Courant de drain maxi: 0.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.6A. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 1A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFD110PBF. Nombre de bornes: 4. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.9ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14