Transistor canal N IRF630PBF, TO220, 200V, 200V. Boîtier: TO220. Vdss (tension drain à source): 200V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 800pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Dissipation maximale Ptot [W]: 74W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 9A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF630PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT. Produit d'origine constructeur: Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14