Transistor canal N IRF830PBF, TO220AB, 500V, 500V, 1.5 Ohms, 500V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 500V. Tension drain - source (Vds): 500V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 610pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.5A. Courant de drain maxi: 4.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2.7A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 4.5A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF830PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 74W. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.2 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14