Transistor canal N IRF630, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA, 0.35 Ohms, TO-220, 200V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.35 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 200V. C (in): 540pF. C (out): 90pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 540pF. Charge: 23.3nC. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Courant de drain: 9.5A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Commutation à courant élevé. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: IRF630. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 82W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.83K/W. Td(off): 12 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MESH OVERLAY MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension drain - source: 200V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14