Transistor canal N IRFBC40PBF, TO-220., 600V, 1.2 Ohms, 600V. Boîtier: TO-220.. Tension drain - source (Vds): 600V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6.2A. Courant de drain maxi: 6.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 55 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFBC40PBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 125W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14