Transistor canal N IRFP064NPBF, TO247AC, 55V, 55V, 0.008 Ohms, 55V

Transistor canal N IRFP064NPBF, TO247AC, 55V, 55V, 0.008 Ohms, 55V

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Transistor canal N IRFP064NPBF, TO247AC, 55V, 55V, 0.008 Ohms, 55V. Boîtier: TO247AC. Vdss (tension drain à source): 55V. Tension drain - source (Vds): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 110A. Courant de drain maxi: 98A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 110A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFP064NPBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 150W. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRFP064NPBF
29 paramètres
Boîtier
TO247AC
Vdss (tension drain à source)
55V
Tension drain - source (Vds)
55V
Résistance passante Rds On
0.008 Ohms
Tension drain-source Uds [V]
55V
Capacité de grille Ciss [pF]
4000pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
110A
Courant de drain maxi
98A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.008 Ohms @ 59A
Dissipation de puissance maxi
200W
Dissipation maximale Ptot [W]
200W
Délai de coupure tf[nsec.]
43 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Id @ Tc=25°C (courant de drain continu)
110A
Marquage du fabricant
IRFP064NPBF
Nombre de bornes
3
Polarité
MOSFET N
Puissance
150W
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
14 ns
Température maxi
+175°C.
Tension d'entraînement
10V
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Tension grille/source Vgs (Max)
-20V
Type de canal
N
Type de montage
THT
Type de transistor
transistor de puissance MOSFET
Produit d'origine constructeur
International Rectifier