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IRF7413Z

Transistor canal N IRF7413Z, SO, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Id (T=100°C): 9.2A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1210pF. C (out): 270pF. Charge: 9.5nC. Conditionnement: tube en plastique. Courant de drain: 13A. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: Impédance de grille ultra-basse. Id(imp): 100A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 2.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 10M Ohms. Résistance thermique: 50K/W. Td(off): 11 ns. Td(on): 8.7 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: 20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 95. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V...

0.87€

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IRF7455

Transistor canal N IRF7455, 12A, 15A, 100uA, 0.006 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.006 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3480pF. C (out): 870pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: SMPS MOSFET, High Frequency DC-DC Converters. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 20uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 51 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Trr Diode (Min.): 64 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.6V...

1.22€

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IRF7455PBF

Transistor canal N IRF7455PBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 3480pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 15A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0075 Ohms @ 15A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7455. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

2.36€

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IRF7468PBF

Transistor canal N IRF7468PBF, SO8, 40V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2460pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0015 Ohms @ 9.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7468. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.77€

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IRF7807

Transistor canal N IRF7807, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 6.6A. Id (T=25°C): 8.3A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.017 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: circuit intégré pour convertisseurs DC-DC. Id(imp): 66A. Idss (min): 30uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 25 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

0.97€

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IRF7807V

Transistor canal N IRF7807V, 6.6A, 8.3A, 100uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 6.6A. Id (T=25°C): 8.3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.017 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: circuit intégré pour convertisseurs DC-DC. Id(imp): 66A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 11 ns. Td(on): 6.3 ns. Technologie: MOSFET de puissance. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

1.16€

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IRF7807Z

Transistor canal N IRF7807Z, 8.7A, 11A, 150uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 8.7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 770pF. C (out): 190pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: circuit intégré pour convertisseurs DC-DC. Id(imp): 88A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 10 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 31us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V...

1.05€

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IRF7811AVPBF

Transistor canal N IRF7811AVPBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 1801pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 10.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 15A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7811. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.47€

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IRF7821PBF

Transistor canal N IRF7821PBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 1010pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 13.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0091 Ohms @ 13A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.7 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7821. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.3 ns. Température maxi: +155°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V...

1.84€

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IRF7831TRPBF

Transistor canal N IRF7831TRPBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 6240pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 21A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0036 Ohms @ 20A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 17 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7831. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.35V...

2.28€

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IRF8010

Transistor canal N IRF8010, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 3850pF. C (out): 480pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 260W. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 320A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 61 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.10€

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IRF8010S

Transistor canal N IRF8010S, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3850pF. C (out): 480pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 260W. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 320A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 61 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 99 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.51€

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IRF820

Transistor canal N IRF820, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 1.6A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 360pF. C (out): 92pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 8A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 33 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 260 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.19€

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IRF820PBF

Transistor canal N IRF820PBF, TO-220, 500V, 3 Ohms, 500V. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 500V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF. Charge: 24nC. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4A. Courant de drain maxi: 2.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.5A. Courant de drain: 2.5A, 1.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Délai de coupure tf[nsec.]: 33 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF820PBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Puissance: 50W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 3 Ohms. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension drain - source: 500V. Tension grille-source: ±20V. Type de canal: N. Type de transistor: N-MOSFET...

1.59€

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IRF830

Transistor canal N IRF830, TO-220, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 500V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 2.9A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 610pF. C (out): 160pF. Charge: 38nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 4.5A, 2.9A. Dissipation de puissance maxi: 74W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 18A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Puissance: 74W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 1.5 Ohms. Td(off): 42 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 500V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 320 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.26€

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IRF830APBF

Transistor canal N IRF830APBF, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 3.2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 620 ns. C (out): 93 ns. Dissipation de puissance maxi: 74W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 20A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température: +105°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 430 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V...

1.37€

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IRF830PBF

Transistor canal N IRF830PBF, TO220AB, 500V, 500V, 1.5 Ohms, 500V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 500V. Tension drain - source (Vds): 500V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 610pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.5A. Courant de drain maxi: 4.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2.7A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 4.5A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF830PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 74W. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.2 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

1.77€

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IRF840

Transistor canal N IRF840, TO-220, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220AB, 500V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 4.8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1300pF. C (out): 310pF. Charge: 63nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 8A, 5.1A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Id(imp): 32A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 125W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.85 Ohms. Td(off): 49 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 500V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.90€

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IRF840A

Transistor canal N IRF840A, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1018pF. C (out): 155pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Id(imp): 32A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 422 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.87€

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IRF840APBF

Transistor canal N IRF840APBF, TO-220AB, 500V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1018pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 26 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF840APBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

3.55€

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IRF840AS

Transistor canal N IRF840AS, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1018pF. C (out): 155pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Id(imp): 32A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 422 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.07€

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IRF840ASPBF

Transistor canal N IRF840ASPBF, D²-PAK, TO-263, 500V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1018pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 26 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF840ASPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

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IRF840PBF

Transistor canal N IRF840PBF, TO220AB, 500V, 500V, 0.85 Ohms, 500V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 500V. Tension drain - source (Vds): 500V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 8A. Courant de drain maxi: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 8A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF840PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 125W. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

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IRF840SPBF

Transistor canal N IRF840SPBF, D²-PAK, TO-263, 500V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF840SPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

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