Transistor canal N IRF7807V, 6.6A, 8.3A, 100uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 6.6A. Id (T=25°C): 8.3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.017 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: circuit intégré pour convertisseurs DC-DC. Id(imp): 66A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 11 ns. Td(on): 6.3 ns. Technologie: MOSFET de puissance. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14