Transistor canal N IRF7455PBF, SO8, 30 v

Transistor canal N IRF7455PBF, SO8, 30 v

Quantité
Prix unitaire
1+
2.33€
Quantité en stock: 29

Transistor canal N IRF7455PBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 3480pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 15A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0075 Ohms @ 15A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7455. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRF7455PBF
16 paramètres
Boîtier
SO8
Tension drain-source Uds [V]
30 v
Capacité de grille Ciss [pF]
3480pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
15A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.0075 Ohms @ 15A
Dissipation maximale Ptot [W]
2.5W
Délai de coupure tf[nsec.]
51 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
F7455
Nombre de bornes
8
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
17 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier