Transistor canal N IRF830APBF, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 3.2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 620 ns. C (out): 93 ns. Dissipation de puissance maxi: 74W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 20A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température: +105°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 430 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14