Transistor canal N IRF840, TO-220, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220AB, 500V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 4.8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1300pF. C (out): 310pF. Charge: 63nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 8A, 5.1A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Id(imp): 32A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 125W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.85 Ohms. Td(off): 49 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 500V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27