Transistor canal N IRF7413Z, SO, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO-8, 30 v
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Transistor canal N IRF7413Z, SO, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Id (T=100°C): 9.2A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1210pF. C (out): 270pF. Charge: 9.5nC. Conditionnement: tube en plastique. Courant de drain: 13A. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: Impédance de grille ultra-basse. Id(imp): 100A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 2.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 10M Ohms. Résistance thermique: 50K/W. Td(off): 11 ns. Td(on): 8.7 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: 20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 95. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14