Transistor canal N IRF7807Z, 8.7A, 11A, 150uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 8.7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 770pF. C (out): 190pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: circuit intégré pour convertisseurs DC-DC. Id(imp): 88A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 10 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 31us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14