Transistor canal N IRF840SPBF, D²-PAK, TO-263, 500V

Transistor canal N IRF840SPBF, D²-PAK, TO-263, 500V

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Transistor canal N IRF840SPBF, D²-PAK, TO-263, 500V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF840SPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRF840SPBF
17 paramètres
Boîtier
D²-PAK
Boîtier (norme JEDEC)
TO-263
Tension drain-source Uds [V]
500V
Capacité de grille Ciss [pF]
1300pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
8A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.85 Ohms @ 4.8A
Dissipation maximale Ptot [W]
125W
Délai de coupure tf[nsec.]
49 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
IRF840SPBF
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
14 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Produit d'origine constructeur
Vishay (ir)