Transistor canal N IRF840ASPBF, D²-PAK, TO-263, 500V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1018pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 26 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF840ASPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14