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J107

J107

Transistor canal N J107, TO-92, 8 Ohms, TO-92, 25V. Boîtier: TO-92. Résistance passante Rds On: 8 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 25V. C (in): 160pF. C (out): 35pF. Courant de drain maxi: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 350mW. IGF: 50mA. Idss (min): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 5 ns. Td(on): 6 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 4.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.5V. Tension grille/source Vgs: 0.7V. Type de canal: N. Type de transistor: JFET...

0.31€
+1049 rapidement
Quantité en stock: 166
0505-001247

0505-001247

Transistor canal N 0505-001247, 1.4A, 2.7A, 2.7A, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. Id (T=100°C): 1.4A. Id (T=25°C): 2.7A. Idss (maxi): 2.7A. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 200V. Fonction: MOS-N-FET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

4.05€
Produit obsolète
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1878-8729

1878-8729

Transistor NPN 1878-8729, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: TV-HA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 0.3us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

1.13€
Quantité en stock: 38
2N1711

2N1711

Transistor NPN 2N1711, 500mA, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 50V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 25pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 800mW. FT: 70MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 7V...

1.12€
Quantité en stock: 51
2N1893

2N1893

Transistor NPN 2N1893, TO-39, 500mA. Boîtier: TO-39. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-39. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 70 MHz. Marquage du fabricant: 2N1893. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +175°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

0.95€
Quantité en stock: 436
2N2211A

2N2211A

Transistor PNP 2N2211A, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 8 MHz. Fonction: S-L. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 60. Matériau semi-conducteur: GE. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V...

5.57€
Quantité en stock: 143
2N2219A

2N2219A

Transistor NPN 2N2219A, TO-39 ( TO-205 ), 800mA, 0.8A, TO-39, 40V. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Boîtier (norme JEDEC): TO-39. C (in): 25pF. C (out): 8pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 800mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. FT: 300 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Fréquence: 250MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Marquage du fabricant: 2N2219A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 800mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension (collecteur - émetteur): 60V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 6V...

1.01€
+194 rapidement
Quantité en stock: 82
2N2222A

2N2222A

Transistor NPN 2N2222A, TO-18 ( TO-206 ), 600mA, 0.8A, TO-18, 40V. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Boîtier (norme JEDEC): TO-18. C (in): 25pF. C (out): 8pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 600mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. FT: 300 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: Sw And Linear Application, DC And VHF Amplifier. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Fréquence: 250MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Marquage du fabricant: 2N2222A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Température de fonctionnement: -60...+200°C. Température maxi: +175°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tf(max): 60 ns. Tf(min): 60 ns. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 6V...

0.88€
+2485 rapidement
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Quantité en stock: 30
2N2222A-PL

2N2222A-PL

Transistor NPN 2N2222A-PL, 0.8A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 250 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2N2907A. RoHS: oui. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 6V...

0.0836€
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Minimum: 10
2N2222A-TO

2N2222A-TO

Transistor NPN 2N2222A-TO, TO-18, 800mA. Boîtier: TO-18. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Marquage du fabricant: 2N2222A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V...

4.49€
Quantité en stock: 35
2N2222AG

2N2222AG

Transistor NPN 2N2222AG, 0.6A, TO-92, TO-92 ( BULK Pack ), 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( BULK Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Conditionnement: -. Dissipation de puissance maxi: 0.625mW. FT: 300 MHz. Fonction: Transistor amplificateur. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Marquage sur le boîtier: 2N2222A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tf(max): 25 ns. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 5000. Vcbo: 75V. Vebo: 6V...

0.0869€
Quantité en stock: 2141
Minimum: 5
2N2369A

2N2369A

Transistor NPN 2N2369A, TO-18 ( TO-206 ), 200mA, 0.2A, TO-18, 40V. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Boîtier (norme JEDEC): TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. FT: 500 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: Transistor de commutation. Fréquence de coupure ft [MHz]: 675 MHz. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 0.5A. Marquage du fabricant: 2N2369. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -60...+200°C. Température maxi: +200°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tf(max): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V...

2.77€
Quantité en stock: 42
2N2904

2N2904

Transistor PNP 2N2904, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. FT: 200 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 200 ns. Tf(min): 175 ns. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V...

1.26€
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2N2904A

2N2904A

Transistor PNP 2N2904A, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. FT: 200 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V...

0.54€
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2N2905-A

2N2905-A

Transistor PNP 2N2905-A, TO-39, TO-39, 60V, 600mA. Boîtier: TO-39. Boîtier (norme JEDEC): TO-39. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Marquage du fabricant: 2N2905A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +175°C...

2.07€
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2N2905A

2N2905A

Transistor PNP 2N2905A, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. FT: 200 MHz. Fonction: transistor de commutation, amplificateur. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V...

0.83€
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2N2907A

2N2907A

Transistor PNP 2N2907A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 60V, 600mA, 0.6A, TO-18, 60V. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-18. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 400mW. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W. FT: 200 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fonction: applications de commutation et linéaire DC. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Marquage du fabricant: 2N2907A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Amplificateur VHF. Température maxi: +200°C.. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 30 ns. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

0.82€
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2N2907A-PL

2N2907A-PL

Transistor PNP 2N2907A-PL, 0.6A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammo-Pack. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. FT: 200 MHz. Fonction: Hfe 100. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Ic(puls): 0.8A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V...

0.0939€
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2N3019

2N3019

Transistor NPN 2N3019, TO-39 ( TO-205 ), 1A, 1A, TO-39, 80V. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): TO-39. C (in): 60pF. C (out): 12pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: Commutation à haute vitesse. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Fréquence: 100MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 50. Marquage du fabricant: 2N3019. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 800mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension (collecteur - émetteur): 140V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 7V...

0.81€
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2N3019-ST

2N3019-ST

Transistor NPN 2N3019-ST, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Température: +175°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 7V...

1.10€
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2N3055-CDIL

2N3055-CDIL

Transistor NPN 2N3055-CDIL, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 115W. FT: 2.5 MHz. Fonction: Amplificateur audio linéaire et commutation. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ2955. Technologie: 'epitaxial-base planar technology'. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Température: +200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V...

1.93€
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