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IRF540PBF

Transistor canal N IRF540PBF, TO220, 100V, 100V. Boîtier: TO220. Vdss (tension drain à source): 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1700pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 28A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 17A. Dissipation de puissance maxi: 85W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 53 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 22A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF540PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT...

IRF540Z

IRF610

Transistor canal N IRF610, TO-220, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 2.1A. Id (T=25°C): 3.3A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 140pF. C (out): 53pF. Charge: 8.2nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 3.3A, 2.1A. Dissipation de puissance maxi: 36W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 10A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Puissance: 36W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 1.5 Ohms. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 200V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF610B

Transistor canal N IRF610B, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Id (T=100°C): 2.1A. Id (T=25°C): 3.3A. Idss (maxi): 3.3A. Résistance passante Rds On: 1.16 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 200V. Dissipation de puissance maxi: 38W. Fonction: VGS @10V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

IRF610PBF

Transistor canal N IRF610PBF, TO-220AB, 200V, 1.5 Ohms, 200V. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 200V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 140pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.3A. Courant de drain maxi: 3.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 11 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF610PBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 36W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.2 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

IRF620

Transistor canal N IRF620, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 260pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 18A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF620PBF

Transistor canal N IRF620PBF, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 260pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF620PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

IRF630

Transistor canal N IRF630, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA, 0.35 Ohms, TO-220, 200V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.35 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 200V. C (in): 540pF. C (out): 90pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 540pF. Charge: 23.3nC. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Courant de drain: 9.5A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Commutation à courant élevé. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: IRF630. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 82W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.83K/W. Td(off): 12 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MESH OVERLAY MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension drain - source: 200V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF630NPBF

Transistor canal N IRF630NPBF, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 575pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 74W. Délai de coupure tf[nsec.]: 27 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF630N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.9 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

IRF630PBF

Transistor canal N IRF630PBF, TO220, 200V, 200V. Boîtier: TO220. Vdss (tension drain à source): 200V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 800pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Dissipation maximale Ptot [W]: 74W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 9A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF630PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT...

IRF634

Transistor canal N IRF634, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8.1A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 250V. C (in): 770pF. C (out): 190pF. Dissipation de puissance maxi: 74W. Id(imp): 32A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 4.2 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF634B

Transistor canal N IRF634B, 5.1A, 8.1A, 8.1A, 0.348 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8.1A. Idss (maxi): 8.1A. Résistance passante Rds On: 0.348 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 250V. Dissipation de puissance maxi: 74W. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

IRF640

Transistor canal N IRF640, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1300pF. C (out): 430pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: -. Id(imp): 72A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V...

IRF640N

Transistor canal N IRF640N, TO-220, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1160pF. C (out): 185pF. Charge: 44.7nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 18A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: -. Id(imp): 72A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IRF640NPBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 150W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1K/W. Td(off): 23 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 200V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 167 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF640NPBF

Transistor canal N IRF640NPBF, TO220, 200V, 200V, 0.15 Ohms, 200V. Boîtier: TO220. Vdss (tension drain à source): 200V. Tension drain - source (Vds): 200V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1160pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 18A. Courant de drain maxi: 18A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 18A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF640NPBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 150W. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

IRF640NSTRLPBF

Transistor canal N IRF640NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 200V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1160pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 18A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F640NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

IRF640PBF

Transistor canal N IRF640PBF, 200V, 200V, 0.18 Ohms, TO220. Vdss (tension drain à source): 200V. Tension drain - source (Vds): 200V. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO220. Courant de drain maxi: 18A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 18A. Information: -. MSL: -. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 125W. Série: -. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

IRF644

Transistor canal N IRF644, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Id (T=100°C): 8.5A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 250V. C (in): 1300pF. C (out): 330pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 56A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF6645TRPBF

Transistor canal N IRF6645TRPBF, 4.5A, 5.7A, 5.7A, 0.028 Ohms, 100V. Id (T=100°C): 4.5A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss (maxi): 5.7A. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Tension Vds(max): 100V. Dissipation de puissance maxi: 42W. Fonction: td(on) 9.2ns, td(off) 18ns. Id(imp): 45A. Quantité par boîtier: 1. Remarque: isométrique. Technologie: DirectFET POWER MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

IRF710

Transistor canal N IRF710, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. Id (T=100°C): 1.2A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 400V. C (in): 170pF. C (out): 34pF. Dissipation de puissance maxi: 36W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 6A. Idss (min): 25uA. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 12 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF7101PBF

Transistor canal N IRF7101PBF, SO8, 20V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 320pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 24 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7101. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

IRF7103PBF

Transistor canal N IRF7103PBF, SO8, 50V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 290pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7103. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

IRF7103TRPBF

Transistor canal N IRF7103TRPBF, SO8. Boîtier: SO8. Charge: 12nC. Courant de drain: 3A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 2W. RoHS: oui. Résistance thermique: 62.5K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 50V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Type de transistor: HEXFET, N-MOSFET x2...

IRF710PBF

Transistor canal N IRF710PBF, TO-220AB., 400V, 3.6 Ohms, 400V. Boîtier: TO-220AB.. Tension drain - source (Vds): 400V. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Capacité de grille Ciss [pF]: 170pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2A. Courant de drain maxi: 2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.6 Ohms @ 1.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF710PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...