Transistor canal N IRF640PBF, 200V, 200V, 0.18 Ohms, TO220. Vdss (tension drain à source): 200V. Tension drain - source (Vds): 200V. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO220. Courant de drain maxi: 18A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 18A. Information: -. MSL: -. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 125W. Série: -. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: VISHAY IR. Quantité minimum: 3. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14