Transistor canal N IRF630NPBF, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 575pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 74W. Délai de coupure tf[nsec.]: 27 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF630N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.9 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14