Transistor canal N IRF710, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V

Transistor canal N IRF710, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.02€
5-24
0.87€
25-49
0.76€
50-99
0.68€
100+
0.58€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 49

Transistor canal N IRF710, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. Id (T=100°C): 1.2A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 400V. C (in): 170pF. C (out): 34pF. Dissipation de puissance maxi: 36W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 6A. Idss (min): 25uA. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 12 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

IRF710
28 paramètres
Id (T=100°C)
1.2A
Id (T=25°C)
2A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
3.6 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
400V
C (in)
170pF
C (out)
34pF
Dissipation de puissance maxi
36W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
6A
Idss (min)
25uA
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
12 ns
Td(on)
8 ns
Technologie
Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
240 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Vishay

Produits équivalents et/ou accessoires pour IRF710