Transistor canal N IRF7103TRPBF, SO8
Quantité
Prix unitaire
1-4
1.32€
5-9
0.83€
10-19
0.69€
20-49
0.61€
50+
0.56€
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Transistor canal N IRF7103TRPBF, SO8. Boîtier: SO8. Charge: 12nC. Courant de drain: 3A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 2W. RoHS: oui. Résistance thermique: 62.5K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 50V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Type de transistor: HEXFET, N-MOSFET x2. Produit d'origine constructeur: Infineon (irf). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14
IRF7103TRPBF
13 paramètres
Boîtier
SO8
Charge
12nC
Courant de drain
3A
Montage/installation
SMD
Polarité
unipolaire
Puissance
2W
RoHS
oui
Résistance thermique
62.5K/W
Technologie
HEXFET®
Tension drain - source
50V
Tension grille-source
20V, ±20V
Type de transistor
HEXFET, N-MOSFET x2
Produit d'origine constructeur
Infineon (irf)