Transistor canal N IRF640, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1300pF. C (out): 430pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: -. Id(imp): 72A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14