Transistor canal N IRF610, TO-220, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 200V

Transistor canal N IRF610, TO-220, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.79€
5-24
0.67€
25-49
0.60€
50-99
0.53€
100+
0.40€
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Transistor canal N IRF610, TO-220, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 2.1A. Id (T=25°C): 3.3A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 140pF. C (out): 53pF. Charge: 8.2nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 3.3A, 2.1A. Dissipation de puissance maxi: 36W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 10A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Puissance: 36W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 1.5 Ohms. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 200V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRF610
37 paramètres
Boîtier
TO-220
Id (T=100°C)
2.1A
Id (T=25°C)
3.3A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
1.5 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
200V
C (in)
140pF
C (out)
53pF
Charge
8.2nC
Conditionnement
tubus
Courant de drain
3.3A, 2.1A
Dissipation de puissance maxi
36W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
10A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Puissance
36W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance dans l'état passant
1.5 Ohms
Td(off)
14 ns
Td(on)
8.2 ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension drain - source
200V
Tension grille-source
±20V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
150 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Vishay

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