Transistor canal N IRF7101PBF, SO8, 20V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 320pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 24 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7101. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14