Transistors

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFK140N30P. Tension drain-source Uds [V]: 300V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 70A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 14000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1040W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 7500pF. C (out): 920pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. Id (T=25°C): 34A. Idss (maxi): 2mA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 560W. Résistance passante Rds On: 0.24 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 25. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 8400pF. C (out): 900pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: F-Class--MHz Switching. Id(imp): 176A. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 2mA. Idss (min): 400uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 500W. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. C (in): 12pF. C (out): 910pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Enhancement Mode, Avalanche Rated. Id(imp): 100A. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 1.5mA. Idss (min): 50uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1200W. Résistance passante Rds On: 0.19 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 75 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFK48N50. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 8400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 500W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): 25. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFK48N60P. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ 24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 85 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 8860pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 830W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. C (in): 7900pF. C (out): 790pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 150A. Id (T=100°C): 5.5V. Id (T=25°C): 64A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 830W. Résistance passante Rds On: 85m Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 85 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 20V/ns. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFK64N60P. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 28 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 79 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 12000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1040W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 10000pF. C (out): 1800pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 360A. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 2mA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 500W. Résistance passante Rds On: 0.033 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 42 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 300V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: SOT-227B (ISOTOP). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: GigaMOS. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 480A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 48 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 80 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 41000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 940W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 9100pF. C (out): 2200pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Surface arrière isolée électriquement. Id(imp): 480A. Id (T=25°C): 105A. Idss (maxi): 2uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 400W. Résistance passante Rds On: 17m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Remarque: tension d'isolation 2500V 50/60Hz, RMS, 1minute. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 7000pF. C (out): 2250pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Surface arrière isolée électriquement. Id(imp): 380A. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 100A. Idss (maxi): 1.5mA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 13m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Remarque: tension d'isolation 2500V 50/60Hz, RMS, 1minute. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 7600pF. C (out): 2900pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Surface arrière isolée électriquement. Id(imp): 400A. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 133A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Remarque: tension d'isolation 2500V 50/60Hz, RMS, 1minute. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 7500pF. C (out): 920pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. Id (T=25°C): 34A. Idss (maxi): 2mA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 560W. Résistance passante Rds On: 0.24 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: PLUS247. Boîtier (selon fiche technique): PLUS-247 (TO247 sans trou de fixation). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1500pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 130 ns. Fonction: HiPerFAST IGBT with Diode. Courant de collecteur: 48A. Ic(puls): 80A. Ic(T=100°C): 24A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 75 ns. Td(on): 15 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AD ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V. Remarque: transistor IGBT HiPerFAST. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 2700pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 120ns. Fonction: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 32A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 25 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Diode CE: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 39N60BD1. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 76A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 500 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Courant de collecteur maxi (A): 152A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 2560pF. C (out): 210pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 25 ns. Fonction: C2-Class High Speed IGBT. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 33A. Ic(T=100°C): 200A. Remarque: boîtier isolé. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 167W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 18 ns. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 1960pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 25 ns. Fonction: IGBT PT haute vitesse pour la commutation 40-100 kHz. Courant de collecteur: 56A. Ic(puls): 230A. Ic(T=100°C): 27A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 92 ns. Td(on): 19 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Spec info: Surface arrière isolée électriquement. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 3900pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 35ns. Fonction: C2-Class High Speed IGBT. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 300A. Ic(T=100°C): 48A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 95 ns. Td(on): 18 ns. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Remarque: transistor IGBT HiPerFAST. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms 300A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 2113pF. C (out): 197pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Fonction: IGBT avec diode de récupération ultra-rapide. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 260A. Ic(T=100°C): 30A. Dissipation de puissance maxi: 268W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 127 ns. Td(on): 43 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Nombre de connexions: 3. Remarque: isolation 2500V (50/60Hz RMS, t=1minute). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 2250pF. C (out): 370pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 0.092 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHTTM Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263AB ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 300V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXTH24N50. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.23 Ohms @ 12A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 80 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXTH5N100A. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 200 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 4800pF. C (out): 1020pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 160 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 225A. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 96A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 600W. Résistance passante Rds On: 24m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 75 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V. Protection G-S: non