Transistors

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: MOS-N-FET. Id (T=100°C): 1.4A. Id (T=25°C): 2.7A. Idss (maxi): 2.7A. Nombre de connexions: 3. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 200V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Spec info: 0.3us

Transistor. C (out): 25pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70MHz. Courant de collecteur: 500mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 800mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-39. Boîtier (norme JEDEC): TO-39. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N1893. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 70 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: GE. FT: 8 MHz. Fonction: S-L. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 5A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V

Transistor. RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): 25pF. C (out): 8pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.8A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-18. Boîtier (norme JEDEC): TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N2222A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Famille de composants: transistor NPN. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Tf(max): 60 ns. Tf(min): 60 ns. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -60...+200°C. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 6V

Transistor. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Courant de collecteur: 0.8A. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2N2907A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-18. Boîtier (norme JEDEC): TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N2222A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: Transistor amplificateur. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Courant de collecteur: 0.6A. Marquage sur le boîtier: 2N2222A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 25 ns. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( BULK Pack ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 6V

Transistor. Résistance B: oui. Diode BE: transistor NPN. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-18. C (out): TO-18. Diode CE: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 500 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 0.2A. Ic(puls): 0.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -60...+200°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 0.6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 200 ns. Tf(min): 175 ns. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 0.6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-39. Boîtier (norme JEDEC): TO-39. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N2905A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: transistor de commutation, amplificateur. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Courant de collecteur: 0.6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.6A. Remarque: >40. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-18. Boîtier (norme JEDEC): TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N2907A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Famille de composants: transistor PNP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 400mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 30 ns. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Amplificateur VHF

Transistor. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Hfe 100. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Courant de collecteur: 0.6A. Ic(puls): 0.8A. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammo-Pack. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-39. Boîtier (norme JEDEC): TO-39. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N3019. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Famille de composants: transistor NPN. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 7V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 7V

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 60V. Courant de collecteur: 15A. Puissance: 115W. Boîtier: TO-3

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.5 MHz. Fonction: Amplificateur audio linéaire et commutation. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 15A. Nombre de connexions: 2. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 115W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'epitaxial-base planar technology'. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ2955. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.5 MHz. Fonction: Amplificateur audio linéaire et commutation. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 15A. Nombre de connexions: 2. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 115W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'epitaxial-base planar technology'. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ2955. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.5 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 15A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 115W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ2955. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N3055G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2.5 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 115W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN