Transistor IXFK64N50P

Transistor IXFK64N50P. Transistor. RoHS: oui. C (in): 7900pF. C (out): 790pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 150A. Id (T=100°C): 5.5V. Id (T=25°C): 64A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 830W. Résistance passante Rds On: 85m Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 85 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 20V/ns. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 21:25.