Transistor IXGR48N60C3D1

Transistor IXGR48N60C3D1. Transistor. C (in): 1960pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 25 ns. Fonction: IGBT PT haute vitesse pour la commutation 40-100 kHz. Courant de collecteur: 56A. Ic(puls): 230A. Ic(T=100°C): 27A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 92 ns. Td(on): 19 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Spec info: Surface arrière isolée électriquement. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 21:25.