Transistor IXGR60N60C3D1

Transistor IXGR60N60C3D1. Transistor. C (in): 2113pF. C (out): 197pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Fonction: IGBT avec diode de récupération ultra-rapide. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 260A. Ic(T=100°C): 30A. Dissipation de puissance maxi: 268W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 127 ns. Td(on): 43 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Nombre de connexions: 3. Remarque: isolation 2500V (50/60Hz RMS, t=1minute). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 21:25.