Transistor IXGR40N60B2D1

Transistor IXGR40N60B2D1. Transistor. C (in): 2560pF. C (out): 210pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 25 ns. Fonction: C2-Class High Speed IGBT. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 33A. Ic(T=100°C): 200A. Remarque: boîtier isolé. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 167W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 18 ns. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 21:25.