Transistor IXFN520N075T2

Transistor IXFN520N075T2. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: SOT-227B (ISOTOP). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: GigaMOS. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 480A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 48 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 80 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 41000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 940W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 21:25.