Transistor IXGH24N60CD1

Transistor IXGH24N60CD1. Transistor. C (in): 1500pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 130 ns. Fonction: HiPerFAST IGBT with Diode. Courant de collecteur: 48A. Ic(puls): 80A. Ic(T=100°C): 24A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 75 ns. Td(on): 15 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AD ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V. Remarque: transistor IGBT HiPerFAST. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 21:25.