Transistor IXGR60N60C2

Transistor IXGR60N60C2. Transistor. C (in): 3900pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 35ns. Fonction: C2-Class High Speed IGBT. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 300A. Ic(T=100°C): 48A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 95 ns. Td(on): 18 ns. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Remarque: transistor IGBT HiPerFAST. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms 300A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 21:25.