Rechercher "P-SUP-PS65-12"

Nous vous proposons une sélection de 248 produits pouvant correspondre à votre recherche de "P-SUP-PS65-12" (Transistors FET et MOSFET canal P)

IRF9622

IRF9622

Transistor canal P IRF9622, 3A, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 1.5A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 2.4 Ohms. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

1.16€
Quantité en stock: 38
IRF9630

IRF9630

Transistor canal P IRF9630, TO-220, 6.5A, 500uA, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 700pF. C (out): 200pF. Charge: 29nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: -6.5A, -4A. Dissipation de puissance maxi: 74W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 4A. Id(imp): 26A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 74W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.8 Ohms. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Td(off): 28 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: -200V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V...

1.38€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 157
IRF9630PBF

IRF9630PBF

Transistor canal P IRF9630PBF, -200V, 6.5A, TO220AB. Tension drain - source (Vds): -200V. Courant de drain maxi: 6.5A. Boîtier: TO220AB. Dissipation de puissance maxi: 74W. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 6.5A. Information: -. MSL: -. Particularités: -. Polarité: MOSFET P. Puissance: 75W. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Série: -. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: P. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Vdss (tension drain à source): -200V...

1.60€
+80 rapidement
Quantité en stock: 81
Minimum: 4
IRF9630PBF-VIS

IRF9630PBF-VIS

Transistor canal P IRF9630PBF-VIS, TO-220AB, -200V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 700pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -6.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ -3.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 74W. Délai de coupure tf[nsec.]: 28 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: IRF9630PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V...

1.95€
Quantité en stock: 200
IRF9640

IRF9640

Transistor canal P IRF9640, TO-220, 11A, 500uA, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1200pF. C (out): 370pF. Charge: 44nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: -11A, -6.8A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 6.6A. Id(imp): 44A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 125W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.5 Ohms. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: -200V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.62€
+2 rapidement
Quantité en stock: 102
IRF9640PBF

IRF9640PBF

Transistor canal P IRF9640PBF, TO220AB, -200V, 11A, -200V. Boîtier: TO220AB. Tension drain - source (Vds): -200V. Courant de drain maxi: 11A. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 11A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF9640PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET P. Puissance: 125W. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.5 Ohms. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: P. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Vdss (tension drain à source): -200V...

3.60€
+138 rapidement
Quantité en stock: 36
IRF9640S

IRF9640S

Transistor canal P IRF9640S, D²-PAK, TO-263, -200V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F9640S. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V...

1.07€
Quantité en stock: 64
IRF9953PBF

IRF9953PBF

Transistor canal P IRF9953PBF, SO8, -30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 190pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F9953. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.7 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.73€
Quantité en stock: 72
IRF9Z24NPBF

IRF9Z24NPBF

Transistor canal P IRF9Z24NPBF, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 350pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 8.5A. Id(imp): 48A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.175 Ohms. Td(off): 23 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 47 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.07€
Quantité en stock: 107
IRF9Z34N

IRF9Z34N

Transistor canal P IRF9Z34N, TO-220, 19A, 250uA, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 620pF. C (out): 280pF. Charge: 23.3nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: -19A. Dissipation de puissance maxi: 68W. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 14A. Id(imp): 68A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 68W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 100M Ohms. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Résistance thermique du boîtier: 1.73K/W. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension drain - source: -55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 54ms. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

0.93€
+25 rapidement
Quantité en stock: 37
IRF9Z34NPBF

IRF9Z34NPBF

Transistor canal P IRF9Z34NPBF, TO-220AB, -55V, 17A, -55V. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): -55V. Courant de drain maxi: 17A. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 620pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -19A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 68W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: IRF9Z34NPBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 56W. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Type de canal: P. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

1.54€
+166 rapidement
Quantité en stock: 175
IRF9Z34NS

IRF9Z34NS

Transistor canal P IRF9Z34NS, D2PAK ( TO-263 ), 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 620pF. C (out): 280pF. Charge: 23.3nC. Courant de drain: -19A. Dissipation de puissance maxi: 68W. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 14A. Id(imp): 68A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 68W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 100M Ohms. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Résistance thermique du boîtier: 2.2K/W. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension drain - source: -55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 54ms. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.38€
+1 rapidement
Quantité en stock: 606
IRF9Z34NSPBF

IRF9Z34NSPBF

Transistor canal P IRF9Z34NSPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 620pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -19A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 68W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F9Z34NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V...

1.47€
Quantité en stock: 231
IRFD9014

IRFD9014

Transistor canal P IRFD9014, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. Id (T=25°C): 1.1A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 60V. C (in): 270pF. C (out): 170pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 0.8A. Id(imp): 8.8A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. Td(off): 10 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: P. Type de transistor: FET. Unité de conditionnement: 100dB. Vgs(th) min.: 2V...

0.94€
Quantité en stock: 154
IRFD9024

IRFD9024

Transistor canal P IRFD9024, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. Id (T=25°C): 1.8A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 60V. C (in): 570pF. C (out): 360pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 1.1A. Id(imp): 13A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: P. Type de transistor: FET. Unité de conditionnement: 100dB. Vgs(th) min.: 2V...

1.14€
Quantité en stock: 198
IRFD9024PBF

IRFD9024PBF

Transistor canal P IRFD9024PBF, DIP4, -60V. Boîtier: DIP4. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 570pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -1.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -0.96A. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 1.6A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFD9024PBF. Nombre de bornes: 4. Particularités: -. Polarité: MOSFET P. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT. Vdss (tension drain à source): -60V...

1.57€
Quantité en stock: 67
IRFD9110

IRFD9110

Transistor canal P IRFD9110, 0.7A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. Id (T=25°C): 0.7A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 100V. C (in): 200pF. C (out): 94pF. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 0.49A. Id(imp): 5.6A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Td(off): 15 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET POWWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 82 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

0.95€
Quantité en stock: 81
IRFD9110PBF

IRFD9110PBF

Transistor canal P IRFD9110PBF, HEXDIP, -100V, 0.7A, -100V. Boîtier: HEXDIP. Tension drain - source (Vds): -100V. Courant de drain maxi: 0.7A. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: IRFD9110PBF. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Type de canal: P. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

0.88€
+97 rapidement
Quantité en stock: 27
IRFD9120

IRFD9120

Transistor canal P IRFD9120, DIP, 0.1A, 0.1A, DH-1 house, DIP-4, 100V. Boîtier: DIP. Id (T=25°C): 0.1A. Idss (maxi): 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 100V. Charge: 18nC. Courant de drain: -1A, -0.7A. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 0.6A. Marquage du fabricant: IRFD9120PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Polarité: unipolaire. Puissance: 1.3W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.6 Ohms. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension drain - source: -100V. Tension grille-source: ±20V. Type de canal: P. Type de transistor: P-MOSFET...

1.15€
+5 rapidement
Produit obsolète
En rupture de stock
IRFD9120PBF

IRFD9120PBF

Transistor canal P IRFD9120PBF, DIP4, -100V. Boîtier: DIP4. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 390pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: IRFD9120PBF. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.6 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V...

1.36€
Quantité en stock: 518
IRFD9220

IRFD9220

Transistor canal P IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V. Boîtier: DIP. Id (T=25°C): 0.56A. Idss (maxi): 0.56A. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 200V. Charge: 15nC. Courant de drain: -600mA, -0.36A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 0.34A. Marquage du fabricant: IRFD9220PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Polarité: unipolaire. Puissance: 1W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension drain - source: -200V. Tension grille-source: ±20V. Type de canal: P. Type de transistor: P-MOSFET...

1.15€
+25 rapidement
Quantité en stock: 26
IRFD9220PBF

IRFD9220PBF

Transistor canal P IRFD9220PBF, HD-1, -200V. Boîtier: HD-1. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 340pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.56A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 7.3 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: IRFD9220PBF. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V...

2.36€
Quantité en stock: 81