Transistor canal P IRF9630, TO-220, 6.5A, 500uA, TO-220AB, 200V

Transistor canal P IRF9630, TO-220, 6.5A, 500uA, TO-220AB, 200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.36€
5-24
1.16€
25-49
1.01€
50-99
0.92€
100+
0.79€
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Transistor canal P IRF9630, TO-220, 6.5A, 500uA, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 700pF. C (out): 200pF. Charge: 29nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: -6.5A, -4A. Dissipation de puissance maxi: 74W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 4A. Id(imp): 26A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 74W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.8 Ohms. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Td(off): 28 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: -200V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:50

Documentation technique (PDF)
IRF9630
38 paramètres
Boîtier
TO-220
Id (T=25°C)
6.5A
Idss (maxi)
500uA
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
200V
C (in)
700pF
C (out)
200pF
Charge
29nC
Conditionnement
tubus
Courant de drain
-6.5A, -4A
Dissipation de puissance maxi
74W
Fonction
commutation rapide
Id (T=100°C)
4A
Id(imp)
26A
Idss (min)
100uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
74W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance dans l'état passant
0.8 Ohms
Résistance passante Rds On
0.8 Ohms
Td(off)
28 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension drain - source
-200V
Tension grille-source
±20V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
200 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
50
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier

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