Transistor canal P IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V

Transistor canal P IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V

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Transistor canal P IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V. Boîtier: DIP. Id (T=25°C): 0.56A. Idss (maxi): 0.56A. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 200V. Charge: 15nC. Courant de drain: -600mA, -0.36A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 0.34A. Marquage du fabricant: IRFD9220PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Polarité: unipolaire. Puissance: 1W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension drain - source: -200V. Tension grille-source: ±20V. Type de canal: P. Type de transistor: P-MOSFET. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:37

Documentation technique (PDF)
IRFD9220
24 paramètres
Boîtier
DIP
Id (T=25°C)
0.56A
Idss (maxi)
0.56A
Boîtier (selon fiche technique)
DH-1 house, DIP-4
Tension Vds(max)
200V
Charge
15nC
Courant de drain
-600mA, -0.36A
Dissipation de puissance maxi
1W
Fonction
transistor MOSFET canal P
Id (T=100°C)
0.34A
Marquage du fabricant
IRFD9220PBF
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
4
Polarité
unipolaire
Puissance
1W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
1.5 Ohms
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Tension drain - source
-200V
Tension grille-source
±20V
Type de canal
P
Type de transistor
P-MOSFET
Produit d'origine constructeur
International Rectifier