Transistor canal P IRF9640PBF, TO220AB, -200V, 11A, -200V. Boîtier: TO220AB. Tension drain - source (Vds): -200V. Courant de drain maxi: 11A. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 11A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF9640PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET P. Puissance: 125W. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.5 Ohms. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: P. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Vdss (tension drain à source): -200V. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 21:47