Transistor canal P IRF9953PBF, SO8, -30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 190pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F9953. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.7 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:25