Transistor canal P IRF9640, TO-220, 11A, 500uA, TO-220AB, 200V

Transistor canal P IRF9640, TO-220, 11A, 500uA, TO-220AB, 200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.60€
5-24
1.32€
25-49
1.23€
50-99
1.08€
100+
0.89€
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Transistor canal P IRF9640, TO-220, 11A, 500uA, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1200pF. C (out): 370pF. Charge: 44nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: -11A, -6.8A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 6.6A. Id(imp): 44A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 125W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.5 Ohms. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: -200V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:50

Documentation technique (PDF)
IRF9640
37 paramètres
Boîtier
TO-220
Id (T=25°C)
11A
Idss (maxi)
500uA
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
200V
C (in)
1200pF
C (out)
370pF
Charge
44nC
Conditionnement
tubus
Courant de drain
-11A, -6.8A
Dissipation de puissance maxi
125W
Fonction
commutation rapide
Id (T=100°C)
6.6A
Id(imp)
44A
Idss (min)
100uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
125W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance dans l'état passant
0.5 Ohms
Résistance passante Rds On
0.3 Ohms
Td(off)
39 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension drain - source
-200V
Tension grille-source
±20V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
250 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier