Transistor canal P IRFD9014, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. Id (T=25°C): 1.1A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 60V. C (in): 270pF. C (out): 170pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 0.8A. Id(imp): 8.8A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. Td(off): 10 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: P. Type de transistor: FET. Unité de conditionnement: 100dB. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:37